時 間：2006年6月16日（星期五） 下午   2:30

地 點：意昂3体育官网  現代物理中心  報告廳

報告題目📰：Nanowire Building Blocks: Fundamental Transport Phenomena and Application in Nanoelectronics

報告人👨‍🦯‍➡️：向傑（Jie Xiang）

    2002年畢業於意昂3体育官网物理系，獲得物理學學士學位😙，其間獲得君政基金，在俞大鵬教授實驗室從事納米線方面的研究;2002年7月至今在美國哈佛大學化學系跟隨C. M. Lieber教授攻讀化學物理博士學位🤾🏼。主要從事一維納米材料的電荷輸運性質與納米電子學研究。共在包括Nature, PNAS, Nano Letters等重要學術刊物上發表論文五篇🌔，包括: “Dopant-free GaN/AlN/AlGaN radial nanowire heterostructures as high electron mobility transistors”, Nano Letters, in press; “High performance field effect transistors based on Ge/Si nanowire heterostructures”, Nature 441, 489 (2006);“One-dimensional hole gas in germanium/silicon nanowire heterostructures”, PNAS, USA 102, 10046 (2005); “Single-crystal metallic nanowires and metal/semiconductor nanowire heterostructures”, Nature 430, 61 (2004).

研究方向🦐🍪：在“自下而上”利用納米尺度基元構建納米器件的進程中🐤，人們需要深入理解單個納米基元中電荷的輸運性質。我的工作主要集中在半導體納米線和納米線異質結上。在這次報告中，我將介紹未摻雜的Ge/Si 殼層異質結中的電子輸運性質，發現了由於徑向限製效應引起的空穴氣的形成，以及一維帶間(subbands)體系中量子電導的基本特征。在超導近鄰效應作用下, Ge/Si 殼層異質結可以承載巨大的超流🚕，並展現出一系列非常有趣的全新的量子輸運現象。同時✴️🫁，我還會討論利用納米線作為基元構造納米計算機的相關問題，分析納米線二極管是否比傳統CMOS技術更具優勢。 通過把Ge/Si 殼層空穴氣與高k介電上門電極結合的方法🤏，發現納米線場效應管比現有的矽MOSFETs技術要快3～4個數量級。

聯系教授： 俞大鵬教授

聯系方法： 電話🚷：62759474 ,  yudp@pku.edu.cn